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films electroplated to stainless steel substrates阿部 英樹*; 西田 憲二*; 今井 基晴*; 北澤 英明*; 吉井 賢資
Applied Physics Letters, 85(25), p.6197 - 6199, 2004/12
被引用回数：15 パーセンタイル：51.42(Physics, Applied)MgCl, NaCl, KCl, MgBO
からなる混合溶融塩に微量のCuClを添加したところ、ステンレス基板上にホウ化物超伝導体MgB膜を電気化学的手法によって作製できることを発見した。顕微鏡観察から、薄いCu層がステンレスとMgB膜を結合させる役割をしていることが示唆された。また、低温における電気伝導測定から、臨界磁場28T,不可逆磁場13T、及び臨界電流25000A/cm
の超伝導パラメータが得られた。この結果は、本手法で作製した膜が良好な超伝導特性を有することを示す。さらに、本手法の有する簡便安価性を考え合わせると、本手法はpowder-in-tube法のような従来型の膜作製法に比べ、応用に有利と結論した。
ion irradiation on the superconductive properties and microstructure of EuBaCu
O
thin film笹瀬 雅人*; 岡安 悟; 倉田 博基; 北條 喜一
Surface & Coatings Technology, 103-104, p.360 - 364, 1998/00
高エネルギー重イオン照射によって導入された超伝導薄膜内の微細欠陥は、磁束ピン止め点として有効に作用することが知られている。しかし、ピン止め点の制御を考えた場合、イオン照射により生成される様々な欠陥形状や分布とピン止め点作用との関係を明らかにすることが重要である。本研究では、EuBaCuO薄膜にエネルギーの異なるAuイオン照射を行い、照射による超伝導特性の変化と導入された欠陥構造の関係について検討し、照射による導入欠陥の超伝導特性への影響について結果が得られたので報告を行う。
有賀 武夫; 高村 三郎; 星屋 泰二; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(6), p.L964 - L966, 1989/06
被引用回数：24 パーセンタイル：87.78(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を400keVのHeイオンで室温照射すると超電導転移温度Tc(R=0)が92Kから30度低下(1
10
/mの照射量で)、常伝導抵抗R(T=130K)が4倍に増加(同上の照射量)する。一方、Tc(Onset)はこの照射量ではほとんど変化しない。85Kでの照射では、室温照射に比べて、Tc(R=0)の著しい低下とR(T=130K)の増加が観測された。照射後300Kまで昇温するとR(T=130K)の減少(回復)がみられるが、回復量は照射量の増加とともに減少する。はじき出し損傷のしきいエネルギーを25eVと仮定しTc(R=0)の減少率を求め、Y-系セラミック超伝導薄膜での照射(イオン、中性子、電子線)によるTc(R=0)と比較すると、本実験で用いたBi-系薄膜の減少率が大きく、照射損傷に対しY-系より感受性が高いことを確めた。
